【摘 要】
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用微波ＰＣＶＤ法将掺硼金刚石膜淀积在Ｓｉ３Ｎ４基片上．用Ｔｉ薄膜作为欧姆接触电极蒸发在金刚石膜表面上．为防止Ｔｉ在高温下氧化，上面镀上了Ａｕ薄膜，从室温到６００℃范围内测试了这些金刚石膜样品的电阻（Ｒ），发现Ｔ１和Ｒ之
【机 构】
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电子科技大学，四川联合大学，电子科技大学信息材料工程学院
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用微波ＰＣＶＤ法将掺硼金刚石膜淀积在Ｓｉ３Ｎ４基片上．用Ｔｉ薄膜作为欧姆接触电极蒸发在金刚石膜表面上．为防止Ｔｉ在高温下氧化，上面镀上了Ａｕ薄膜，从室温到６００℃范围内测试了这些金刚石膜样品的电阻（Ｒ），发现Ｔ１和Ｒ之间呈线性关系，若改变掺硼浓度以及热处理条件可以控制掺硼金刚石膜的热敏特性，结果表明掺硼金刚石膜显示了高的敏感性和好的稳定性，是一种优良的热敏电阻材料．
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