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用极谱法分析电沉积 CdTe 半导体薄膜中 Cd 和 Te 的含量随电沉积电位、沉积温度和热处理温度的变化,获得 Cd 和 Te 原子数之比几乎为1∶1的 CdTe 薄膜。热处理能改变 CdTe 薄膜的导电类型。
电沉积CdTe半导体薄膜中Cd和Te含量的极谱分析
【摘 要】
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用极谱法分析电沉积 CdTe 半导体薄膜中 Cd 和 Te 的含量随电沉积电位、沉积温度和热处理温度的变化,获得 Cd 和 Te 原子数之比几乎为1∶1的 CdTe 薄膜。热处理能改变 CdTe
【机 构】
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上海科学技术大学技术大学化学系,上海科学技术大学,上海科学技术大学
【出 处】
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材料科学进展
【发表日期】
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1991年6期
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