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用电沉积法制备ｎ—ＣｄＴｅ薄膜，可降低半导体材料的消耗和生产费用，对降低太阳电池成本具有很大吸引力。本文通过不同衬底和不同阴极电位电沉积制备ＣｄＴｅ薄膜，进行不同温度下的热处理。对多晶ＣｄＴｅ薄膜做了ＸＲＤ分析，并在由ＣｄＴｅ薄膜作光电极，碳棒为对电极，多硫氧化还原体系Ｎａ２Ｓ＋ＮａＯＨ＋Ｓ溶液作为电解液的光电学电池中做光电Ｉ——Ｖ特性测量，发现以Ｎｉ作衬底及阴极沉积电位－０．６７—－０．７０Ｖ（对照ＳＣＥ）下沉积出的ＣｄＴｅ薄膜光电性能较好，如对薄膜进一步在马福炉中２５０°下供烤１５—４５分钟