【摘 要】
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该文在P型半导体硅上进行了激光诱导电沉积铜,以及控电位、恒电流沉积镍、镍磷、镍钨合金的研究.首次在半导体上采用直接电沉积法制备出不同组成、具有晶态及非晶态结构的镍
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该文在P型半导体硅上进行了激光诱导电沉积铜,以及控电位、恒电流沉积镍、镍磷、镍钨合金的研究.首次在半导体上采用直接电沉积法制备出不同组成、具有晶态及非晶态结构的镍磷、镍钨合金薄膜.采用动电位和循环伏安法研究了NiP合金沉积及其溶解过程.结果表明合金中存在富镍和富磷组分,具有不同的电化学活性和溶出速度.在富磷组分和富镍组分上进一步沉积Ni-P时,具有不同的过电位,前者要大于后者,说明P的加入,不利于晶核的长大,而有利于非晶态Ni-P合金的形成.
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