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研究了半导体ＣｄＴｅ薄膜不同阴极电沉积条件下，沉积电位与电流密度，沉积速率的关系。着重研究了沉积电位对ＣｄＴｅ膜层成分及导电类型的影响，通过控制沉积电位制备了不同导电类型的半导体ＣｄＴｅ薄膜。对沉积膜形貌和结构２分析表明，室温搅拌条件下沉积的ＣｄＴｅ薄膜，整体均匀性好，呈非晶结构，氮气氛中高温退火后，ＣｄＴｅ膜沿一定方向有较明显取向。