【摘 要】
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基于硅通孔(TSV)技术,可以实现微米级三维无源电感的片上集成,可应用于微波/射频电路及系统的微型化、一体化三维集成.考虑到三维集成电路及系统中复杂、高密度的电磁环境,在TSV电感的设计和使用中,必须对其电路性能及各项参数指标进行精确评估及建模.采用解析方法对电感进行等效电路构建和寄生参数建模,并通过流片测试对模型进行了验证.结果 表明,模型的S参数结果与三维仿真结果吻合良好,证实了等效电路构建的精确性.采用所建立的等效电路模型可以提高TSV电感的设计精度和仿真效率,解决微波电路设计及三维电磁场仿真过程中
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;西安理工大学自动化与信息工程学院,西安 710048
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基于硅通孔(TSV)技术,可以实现微米级三维无源电感的片上集成,可应用于微波/射频电路及系统的微型化、一体化三维集成.考虑到三维集成电路及系统中复杂、高密度的电磁环境,在TSV电感的设计和使用中,必须对其电路性能及各项参数指标进行精确评估及建模.采用解析方法对电感进行等效电路构建和寄生参数建模,并通过流片测试对模型进行了验证.结果 表明,模型的S参数结果与三维仿真结果吻合良好,证实了等效电路构建的精确性.采用所建立的等效电路模型可以提高TSV电感的设计精度和仿真效率,解决微波电路设计及三维电磁场仿真过程中硬件配置要求高、仿真速度慢等问题.
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