【摘 要】
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用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)测量了其对称反射(0002)和非对称反射(1014
【机 构】
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南京大学固体微结构物理国家重点实验室,中国科学院高能物理研究所
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)
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用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)测量了其对称反射(0002)和非对称反射(1014)的倒易空间图(RSM).分析结果表明,势垒层内部微结构与应变状态和下层i-GaN的微结构与应变状态互相关联,当厚度大于750时,势垒层开始发生应变弛豫,临界厚度大于500.势垒层具有一种"非常规"应变弛豫状态,这种状态的来源可能与n-AlGaN的内部缺陷以及i-GaN
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