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AlxGa1-xN／GaN调制掺杂异质结能带分裂特性

来源 :稀有金属 | 被引量 : 0次 | 上传用户：guipaeren

【摘 要】

：

通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4 T时观察到的明显对应于

【作 者】

：

郑泽伟  沈波  陈敦军  郑有炓  郭少令  褚君浩 

【机 构】

：

南京大学物理系,中国科学院上海技术物理研究所

【出 处】

：

稀有金属

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

调制掺杂 AlxGa1-xN/GaN异质结构 二维电子气 迁移率 有效g因子 modulation-doped Al_xGa_(1-x)N/GaN hetero 

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研项目

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通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4 T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象.用Dingle作图法得到本样品τq的大小为0.17 ps.结果表明,本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g*.用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g*增强效应.在磁阻测量中改变磁场方向,自旋分裂现象表现出各向异性.用异质结构界面处强的极化电场

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