【摘 要】
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本研究采用直流磁控溅射的方法在W 18Cr4V高速钢基体上制备不同Al/Ti比例的(Ti,Al)N薄膜,为此,在圆柱形磁控溅射Ti靶表面上,采用多弧离子镀技术覆盖不同面积和一定厚度的纯Al
【机 构】
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沈阳大学机械工程学院; 沈阳亚特重型装备制造有限公司; 科汇纳米技术有限公司; 中国科学院兰州化学物理研究所; 河南鑫磊集团; 东北大学基础学院;
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本研究采用直流磁控溅射的方法在W 18Cr4V高速钢基体上制备不同Al/Ti比例的(Ti,Al)N薄膜,为此,在圆柱形磁控溅射Ti靶表面上,采用多弧离子镀技术覆盖不同面积和一定厚度的纯Al,结果表明:只有在靶材的外表面Ti与Al的交界附近的样品才能沉积成薄膜,随着靶材表面覆盖纯A l的面积增大,所形成的结晶薄膜中的Al/Ti比例增大,膜层中的相组成AlN的数量增多,而TiAlN的数量减少,此外纯Al的覆盖面积过大,将导致溅射时所需要的气压过高而无法沉积成膜。
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