直流磁控溅射制备PbTe薄膜

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采用直流磁控溅射的方式,用PbTe靶材溅射沉积在玻璃基底上得到了PbTe薄膜,薄膜生长速率约为100nm/min,通过控制溅射时间可沉积几纳米到几微米的不同厚度的薄膜。PbTe薄膜是面心立方结构的纤维状生长的薄膜,溅射沉积时间对薄膜的晶粒大小和结构有较大影响,溅射时间越长薄膜的晶粒越大,薄膜结构越致密,具有片层状结构。得到的PbTe薄膜是富Te的P型半导体薄膜,其电阻率随着薄膜厚度的增大而减小。
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