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氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,室温下氧化锌的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60 me V,远高于室温离化能(26 me V),使得其可以在室温或者更高温度下实现激子发光。氧化锌要实现在光电器件领域的广泛应用,首先要解决高质量的n型和p型材料的制备问题。一般情况下,非掺杂氧化锌表现为n-型。这是由于在氧化锌材料制备过程中,施主型本征缺陷容易形成。目前高质量的n-型氧化锌已经实现。但是由于存在自补偿效应和受主形成能高的原因,其p型掺杂还存在很多问题。能否解决ZnO材料的p型掺杂难题,将直接