离子注入法制备富硅氧化硅薄膜的发光特性研究

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【摘要】

：

由于晶体Si的带间跃迁发光效率比GaAs等化合物半导体低3-5个数量级,无法满足光电子器件的需要,完全的硅基光电子集成网络也一直未能面市。将富余的硅元素掺杂进Si02基体中可以引入不同特性的发光中心,从而获得多种光谱范围的高效发光。离子注入热氧化硅层和超大规模集成电路(ULSI)的半导体工艺完全兼容,并可精确控制注入离子的分布、浓度和掺杂层厚度,是实现高效硅基发光的有效途径。通过干、湿两种热氧化法

【作者】

：

侯硕

【机构】

：

南昌大学

【发表日期】

：

2011年06期

【关键词】

：

离子注入硅离子氧化硅发光特性

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