【摘 要】
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SiC浮动结(floating junction,FJ)SBD相对于常规SiC SBD具有更高的功率优值.本文利用二维数值仿真软件ISE-Dessis仿真研究了4H-SiC FJ SBD的反向恢复特性,4H-SiC FJ-SBD的反向恢复电荷与正向导通电流无关，反向恢复机制与传统SiCSBD相同，反向恢复电荷与全部来源于肖特基接触和P型埋层产生耗尽层消耗的载流子的电荷量。根据仿真结果，本文给出了当
【机 构】
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西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071 西安电子科技大学 宽
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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SiC浮动结(floating junction,FJ)SBD相对于常规SiC SBD具有更高的功率优值.本文利用二维数值仿真软件ISE-Dessis仿真研究了4H-SiC FJ SBD的反向恢复特性,4H-SiC FJ-SBD的反向恢复电荷与正向导通电流无关，反向恢复机制与传统SiCSBD相同，反向恢复电荷与全部来源于肖特基接触和P型埋层产生耗尽层消耗的载流子的电荷量。根据仿真结果，本文给出了当耗尽层没有达到P型埋层时和耗尽层到达P型埋层以后时的反向恢复电荷解析模型，仿真结果与解析模型基本吻合.
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