【摘 要】
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AlGaN/GaN HEMT的有源区台面间泄漏电流是关态泄漏电主要组成部分,隔离工艺与器件缓冲层材料特性都对有源区间泄漏电流有明显影响.实验研究了不同的反应离子刻蚀(RIE)功率对HEMT有源区间泄漏电流的影响,研究发现:干法隔离过程中较大的刻蚀功率会产生异质结材料的GaN缓冲层表面刻蚀损伤,GaN材料表面刻蚀损伤层在SiN表面钝化后会产生漏电界面层,从而恶化了器件关态泄漏电流.采用低损伤刻蚀修复
【机 构】
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宽禁带半导体材料与器件重点实验室 西安 710071 西安电子科技大学微电子学院 西安 71007
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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AlGaN/GaN HEMT的有源区台面间泄漏电流是关态泄漏电主要组成部分,隔离工艺与器件缓冲层材料特性都对有源区间泄漏电流有明显影响.实验研究了不同的反应离子刻蚀(RIE)功率对HEMT有源区间泄漏电流的影响,研究发现:干法隔离过程中较大的刻蚀功率会产生异质结材料的GaN缓冲层表面刻蚀损伤,GaN材料表面刻蚀损伤层在SiN表面钝化后会产生漏电界面层,从而恶化了器件关态泄漏电流.采用低损伤刻蚀修复工艺后,器件关态泄漏电流降低一个数量级以上,并且器件关态漏电圆片分布均匀性明显改善.
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