反向恢复特性相关论文
半导体电子器件技术作为推动社会信息化发展的基石,在过去六十年里不断地更迭进步,传统硅（Si）材料器件的性能逐渐逼近理论极限无法满......
GaN功率器件具有临界电场高、开关速度快、载流子迁移率高等优点,广泛应用于高频桥式电源系统中。在桥式系统中,GaN功率器件需依靠......
SiC浮动结(floating junction,FJ)SBD相对于常规SiC SBD具有更高的功率优值.本文利用二维数值仿真软件ISE-Dessis仿真研究了4H-SiC......
本文介绍了快恢复二极管的反向恢复时间及软度因子的定义，分析了软恢复特性的影响因素，着重介绍了提高器件软度因子的工艺方法。结果......
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有......
为实现反向阻断特性和正向导通压降的折衷优化、提高单极型二极管功率,通过增加结型势垒控制肖特基二极管P柱区域结深,在JBS二极管......
本文综述了改善快速二极管反赂恢复特性的几种主要工艺及其机理,重点介绍了减少反向恢复电荷,提高反向恢复软度的少子寿命控制方法......
在对SiGe材料、SiGe/Si异质结性质以及超结结构特点、性质等方面研究的基础上，本文提出了超结和半超结SiGe功率开关二极管。相比传......
本文对PiN二极管反向恢复过程进行了分步分析，推导出了反向恢复过程中四个阶段的时间计算公式，并在一定简化近似的基础上得出了反向......
为充分发挥氮化镓(Gallium Nitride,GaN)功率器件的高频开关优势,其栅控制驱动芯片工作频率也应得到相应提升。由于自举二极管特性......
为建立有效的晶闸管模型来仿真晶闸管关断时过电压,减小晶闸管过压损坏的概率,以最大通流150kA、耐压5.2kV的脉冲晶闸管为研究对象......
功率二极管的反向恢复电流增加了与其互补导通的开关管的开通损耗,使电力电子电路的损耗模型复杂化。传统的功率二极管反向恢复特......
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET.依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件[1,2],由......
与传统硅基功率二极管相比,碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)可提高开关频率并大幅减小开关损耗,同时有更高的耐压范围。设计并制......
随着功率器件向着大容量、高频率方向的发展,对续流二极管也提出了更严格的要求,硅作为自然界最丰富的材料之一,以硅为基础的功率......
近些年来,智能功率驱动芯片因为自身高效率和高可靠性的优点得到越来越多的关注。在智能功率驱动芯片中,快恢复二极管(FRD)主要作......
近年来,集成电路产业高速发展,如何提高电源管理系统的效率方面的研究显得越来越重要。对于一个几十伏的低压功率沟槽MOSFET,其主......
目前,单片集成智能功率芯片在家用电器和交流电机中得到了广泛的应用。厚膜绝缘体上硅快恢复二极管(Silicon On Insulator-Fast Re......
<正>半桥、全桥和LLC的电源系统以及电机控制系统的主功率MOSFET、同步Buck变换器的续流开关管、以及次级同步整流开关管,其体内寄......
自二十世纪五十年代以来，硅二极管就开始应用于电力电子系统中，但二极管在现代电力电子学中的作用总是被低估，尤其在逆变电路和变频电......
目前能源供不应求，“开源”和“节流”是两条最根本的解决途径。利用功率半导体器件提高系统的效率，降低能耗，属于“节流”的范畴，而发......
本文主要利用二维器件模拟软件ISE-TCAD对高压大功率4H-SiCSBD进行模拟分析。通过对传统的SiC SBD和JBS的正反向特性进行研究分析，......
