钛酸钡陶瓷材料的红外光谱研究

来源 :2006北京国际材料周暨中国材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:radarcauc
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文采用溶胶凝胶法制备掺杂改性的钛酸钡陶瓷,通过红外光谱研究了该材料系统的微观结构及其对宏观性能的影响.在钛酸钡样品中分别掺杂了不同的碱金属离子,如锂离子、钠离子和钾离子,TG-DTA、XRD和红外光谱的实验结果都证实该系统材料的合成温度在800℃附近,而陶瓷样品的烧成温度均比纯钛酸钡(1300℃)有明显降低,其中掺杂锂离子或钠离子的样品最佳烧结温度为1170℃,掺杂钾离子的在1260℃.傅立叶变换红外光谱的测量显示,随着掺杂离子(锂离子、钠离子和钾离子)半径的增大,其Ti-O键的吸收峰波数依次增大,表明键能增强,有关材料可能具有较佳的铁电性能.
其他文献
本文采用直流磁控溅射法溅射掺铌Nb的ITO靶来制备掺铌ITO膜.研究分析了基片温度、氧氩比O2:Ar、工作气压、溅射功率等工艺参数对样品的光学性能和电学性能的影响.通过四探针测试仪、紫外分光光度计、X射线衍射(XRD)及靶的电子能谱仪(EDX)对样品进行测试分析,得到以下结论:掺铌ITO膜电阻率最小可达到2.583×10-4Ω·cm,平均透光率可达75%以上.ITO膜沿(400)晶面择优生长.
利用磁控射频溅射法在石英衬底上制备了纳米SiC薄膜.研究了衬底温度对薄膜的结构,电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)与原子力显微镜(AFM)结果表明,衬底温度为700℃时制备的薄膜是由平均直径为70nm结晶状态良好的4H-SiC纳米颗粒组成.实验测量了样品的电导率随温度的变化关系,并计算出相应的电导激活能.利用紫外-可见分光光度计研究了衬底温度对薄膜光学性能的影响,结果表明纳米SiC薄膜的光
本文旨在介绍宽禁带半导体MgxZn1-xO薄膜的基本性质,制备方法及应用前景.MgxZn1-xO薄膜结合了ZnO和MgO的材料性能,具备禁带宽度连续可调的优势,近年来已经成为人们普遍关注的半导体光电功能材料与器件之一.此外,本文还简要介绍了本实验室关于ZnO薄膜的研究进展,以此作为进一步研究MgxZn1-xO薄膜的理论依据,并且也为紫外光探测器的制备打下了良好的基础.
采用锌铝(2%)合金靶,保持真空腔在50℃低温下,运用直流反应磁控溅射法制得系列的ZnO∶Al(ZAO)薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计、半导体霍尔测试、红外发射率测试仪等手段对薄膜进行了表征.薄膜呈C轴择优取向的六角纤锌矿结构;具有致密平滑的表面形貌;最佳工艺下样品在550nm波长处透过率达93%;最低电阻率为4.99×10-4Ω·cm;8~14 μm波段平均
用溶胶-凝胶法和静电自组装法相结合,成功地在普通载玻片上制备出掺铁的二氧化钛薄膜.用X射线衍射方法对所得样品作了结构表征与分析.结果表明:本实验所制备的薄膜样品均呈良好的锐钛矿相,并且其晶粒大小分布在20~40 nm之间;用扫描电子显微镜测试分析了薄膜表面的形貌,发现所得薄膜样品的颗粒形状基本一致,能谱的测试结果进一步肯定了Fe3+已有效地掺入了TiO2晶格中;用分光光度计研究了掺铁二氧化钛薄膜的
分别采用KBr盐片、单晶硅片作基材,二甲苯、四氢呋喃、环己烷作溶剂,配制不同浓度的溶液,用手工涂刷、离心旋转、浸渍等方法制备聚碳硅烷薄膜.利用红外光谱对制备的PCS薄膜的化学均匀性进行分析,发现用二甲苯溶液,在Si片上离心旋转制备的PCS薄膜的均匀性较好。
本研究采用多弧离子镀技术在高速钢表面制备TiN/AlN纳米多层膜,并对TiN/AlN纳米多层膜的表面形貌、组织结构进行了分析,对TiN/AlN纳米多层膜的调制机构进行了表征.通过对薄膜显微硬度的测试发现,纳米多层膜的显微硬度明显高于单层薄膜的显微硬度,可见,TiN/AlN纳米多层膜具有明显的超硬效应.
在自行设计研制的先进电子回旋共振(ECR)等离子体增强化学气相沉(PECVD)装置上,采用"ECR-PECVD"可控活化低温外延技术,以SiH4+H2为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温(≤550℃)制备多晶硅薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了SiH4流量、H2流量和衬底温度等工艺参数的改变对薄膜晶化的影响.通过分析薄膜结构和形貌,得出适宜
在不同的温度下,用AS1.398中性蛋白酶制备水解明胶,甲醛滴定法测定明胶的水解程度.采用动态纤溶实验,评价明胶水解程度和水解明胶的用量对于尿激酶在血液中纤溶活性的影响.结果表明:水解明胶可以降低尿激酶活性的峰值.调节明胶水解程度,可以在一定用量范围内调控尿激酶达到活性峰值的程度。
在高压条件下(300MPa),采用化学氧化原位聚合法在清洁的石英基片上制备得到了均匀导电的聚吡咯(PPy)薄膜.利用原子力显微镜测量和分析了PPy薄膜的表面形貌和厚度,确立了300MPa反应条件下PPy薄膜的生长曲线.实验结果表明,高压条件对薄膜的生长影响很大.在其他反应条件相同的情况下,高压条件下薄膜生长过程中的诱导期和聚合期与常压条件相比明显缩短.这说明高压条件所导致的反应液黏度的增加和自由基