宽禁带半导体市场纵横

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宽禁带半导体是指禁带宽度Eg〉2.0—6.0电子伏特eV的半导体材料,具体包括碳化硅SiC、氮化镓GaN、氮化镓铝AIGaN等。这类材料的禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度快、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、具有良好的化学稳定性,非常适合用来研制抗辐射、高频、大功率与高密度集成的半导体器件。利用其特有的禁带宽度,研制出蓝、绿光和紫外光发光器件及光探测器。
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