宽禁带半导体技术

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  根据半导体材料禁带宽度的不同,可分为宽禁带半导体材料与窄禁带半导体材料。若禁带宽度Eg<2ev(电子伏特),则称为窄禁带半导体,如锗(Ge)、硅(si)、砷化镓(G9As)以及磷化铟(1nP);若禁带宽度Eg>2.0-6.0ev,则称为宽禁带半导体,如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、4H碳化硅(4H-SiC)、6H碳化硅(6H-SiC)、氮化铝(A1N)以及氮化镓铝(ALGaN)等。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件;而利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝、绿光和紫外光器件和光探测器件。因此,美国、日本、俄罗斯等国都极其重视宽禁带半导体技术的研究与开发。从目前宽禁带半导体材料和器件
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在今日的无线通讯世界中,存在着各种竞争性的标准与技术,例如广域(WWAN)的蜂窝式行动通讯 (GSM/GPRS/3G)、区域(WLAN)的WiFi(IEEE 802.11b/g/a)和短距离(WPAN)的Bluetooth出或zigbee等等。这对于设备提供商或终端用户来说,都不是乐见的情况。
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