浅谈浮法玻璃生产线锡槽电加热系统

来源 :2010全国玻璃技术交流研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qxd986319
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介绍了锡槽电加热系统以及系统中的关键设备调功器、变压器等,并通过电路分析说明了电加热元件的接线原理及设备安装、调制中需要注意的问题。
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利用半导体二维数值分析软件Silvaco研究了一种能提高双沟道单缓冲层4H-SiCMESFET性能的双缓冲层器件结构。二维数值仿真结果表明:双缓冲层结构的击穿电压从双沟道单缓冲层结构的136 V提高到162 V;同时截止频率和最高振荡频率也分别提高0.5 GHz和7 GHz。因此与双沟道单缓冲层结构相比,虽然漏极饱和电流有所降低,双缓冲层结构具有更优的频率特性和击穿特性。
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GaN/InGaN化合物材料研究与大功率芯片制备工艺突破,器件技术进一步成熟、大功卒LED散热系统的改善,促进半导体光源成果产业化、室内外照明应用日益广泛,大有替代传统光源发展之趋势。着重介绍了大功率LED应用中集成组合技术,采用LED模块化组合灯具作为照明路灯的特点,结构及其技术性能,亟需解决的关键问题是散热与实际照明效果一致性,即二次光学设计技术,剖析了正在推广应用的大功率LED道路照明灯的典
分别在InGaN/GaN多量子阱(MQW)上生长了SiO2薄膜和孔隙率不同的多孔氧化铝(AAO)膜,测定了这些样品的光致发光谱(PL),并计算了两种薄膜覆盖下的InGaN/GaN多量子阱相比无覆盖时的出光增强因子。实验结果表明,覆盖AAo和SiO2膜的样品出光效率均得到了增强。AAO膜增强效果比SiO2膜明显。AAO膜覆盖的样品在某波长处增强因子(E)达到3.5,强度积分增强因子(Ei)达到2.2
柱状压电晶片堆主要由压电陶瓷晶片、金属定位螺栓、铜电极片、引线组成。各压电晶片之间夹有薄铜片,并用环氧树脂同心叠堆粘接以形成圆柱状晶片堆。通过有限元法分析晶片堆的振动模态,利用ANSYS软件建立晶片堆的有限元模型,求解晶片堆的频率特性,分析了振动频率与结构尺寸之间的关系。用阻抗分析仪和激光扫描测振仪对晶片堆的实体进行了阻抗和振动位移的测试,样品谐振频率的实测结果与仿真结果吻合较好。
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