【摘 要】
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采用GaN微波功率HEMT0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 v工作电压下。饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46％。实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块。
【机 构】
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南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室,南京 210016
【出 处】
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2010年全国半导体器件技术研讨会
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采用GaN微波功率HEMT0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 v工作电压下。饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46％。实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块。
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