【摘 要】
：
分别在InGaN/GaN多量子阱(MQW)上生长了SiO2薄膜和孔隙率不同的多孔氧化铝(AAO)膜,测定了这些样品的光致发光谱(PL),并计算了两种薄膜覆盖下的InGaN/GaN多量子阱相比无覆盖时的出光增强因子。实验结果表明,覆盖AAo和SiO2膜的样品出光效率均得到了增强。AAO膜增强效果比SiO2膜明显。AAO膜覆盖的样品在某波长处增强因子(E)达到3.5,强度积分增强因子(Ei)达到2.2
【机 构】
：
南京大学电子工程学院江苏省光电信息功能材料重点试验室,南京 210093 南京大学电子工程学院江苏
【出 处】
：
2010年全国半导体器件技术研讨会
论文部分内容阅读
分别在InGaN/GaN多量子阱(MQW)上生长了SiO2薄膜和孔隙率不同的多孔氧化铝(AAO)膜,测定了这些样品的光致发光谱(PL),并计算了两种薄膜覆盖下的InGaN/GaN多量子阱相比无覆盖时的出光增强因子。实验结果表明,覆盖AAo和SiO2膜的样品出光效率均得到了增强。AAO膜增强效果比SiO2膜明显。AAO膜覆盖的样品在某波长处增强因子(E)达到3.5,强度积分增强因子(Ei)达到2.29;覆盖SiO2膜的样品在某波长处的最大增强因子为1.7,强度积分增强因子为1.47。AAO薄膜覆盖的样品出光增强因子(包括E和Ei)随着孔隙率的减小而增加,表明AAO膜中的纳米结构对出光增强起着非常重要的作用。
其他文献
基于扭臂式微驱动器模型,根据边缘电容效应不可忽略的特点,推导出计及边缘效应的电容表达式,利用能量法求解扭臂式微执行器的pull-in参数计算公式。对于这种不满足平行板简化计算条件的模型,计及边缘效应计算式具有更好的准确性。
拉拔后金丝的主要织构是和织构。随着老化时间的延长,金丝中织构减少,织构增多。空气自由球中心的主要织构是织构,且与劈刀接触出金球表面主要是织构。在热超声金丝球焊过程中,随着功率、压力的变化,焊点内部显微结构和织构也发生着明显变化。
晶圆黏着键合方法优点是工艺温度低,与标准IC工艺兼容,能使键合表面平坦化,同时还能够补偿表面小直径的微粒,工艺相对简单,成本低,已逐渐成为微电子和MEMS制造中比较重要的工艺。概括论述了黏着键合技术的基本原理,阐述了黏合剂种类以及选择的原则,并对一些有重要影响的工艺参数结合工艺流程进行了分析,最后着重介绍了晶圆黏着键合技术在微电子和MEMS领域中的最新应用。
介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻抗参数为参考结合Wilkinson功分器/合成器设计器件匹配电路,实现模块尺寸为53.3 mn×20.7 mm×7.5mm,端口阻抗为50 Ω。模块在3.1~3.4 GHz全频段、36 V工作、脉冲宽度300μs、占空比10％条件下输出功率大于120 W,增益大于8 dB,效
利用半导体二维数值分析软件Silvaco研究了一种能提高双沟道单缓冲层4H-SiCMESFET性能的双缓冲层器件结构。二维数值仿真结果表明:双缓冲层结构的击穿电压从双沟道单缓冲层结构的136 V提高到162 V;同时截止频率和最高振荡频率也分别提高0.5 GHz和7 GHz。因此与双沟道单缓冲层结构相比,虽然漏极饱和电流有所降低,双缓冲层结构具有更优的频率特性和击穿特性。
目前,国内采用等平面自对准等先进工艺技术研制而成的、国产化S波段Si功率晶体管性能已达到实用化应用要求。基于先进的负载牵引测试技术,对小型化S波段功率放大器模块匹配电路进行了优化设计,研制出了体积为150 mm×40 mm×20 mm的S波段功率放大模块。在2100-2300MHz频带内,S波段功率放大模块实现了输出功率Pout>160 W,功率增益Gp>29 dB,集电极效率叩nc>33％。
层间介质材料(interlayer dielectric,ILD)在集成电路封装中主要用作多层金属布线间的层间绝缘。随着IC封装尺寸的不断减小以及封装密度的不断增大,ILD材料的性能已经成为影响IC功能的主要因素。综述了近年来国内外在先进封装用聚合物ILD材料领域内的最新发展状况。重点阐述了聚酰亚胺(PI)、聚苯并噁唑(PBO)以及苯并环丁烯(BCB)材料的研究现状与发展趋势。最后对我国先进聚合物
采用GaN微波功率HEMT0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 v工作电压下。饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46％。实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块。
利用MOCVD生长Mg掺杂的AIGalnP材料,研究了Mg掺杂特性,在此基础生长了AIGaInP/GalnP 650 nm大功率量子阱激光器。通过采用Zn扩散无吸收窗口技术。制作出150 μm条宽1200 μm腔长的器件。20℃时,连续电流条件下测试其斜率效率达1.10 W/A,阈值电流560 mA,最大输出功率超过4.8 W。器件激射波长658 nm,光谱半峰宽(FWHM)只有1.2 nm,寿命
GaN/InGaN化合物材料研究与大功率芯片制备工艺突破,器件技术进一步成熟、大功卒LED散热系统的改善,促进半导体光源成果产业化、室内外照明应用日益广泛,大有替代传统光源发展之趋势。着重介绍了大功率LED应用中集成组合技术,采用LED模块化组合灯具作为照明路灯的特点,结构及其技术性能,亟需解决的关键问题是散热与实际照明效果一致性,即二次光学设计技术,剖析了正在推广应用的大功率LED道路照明灯的典