【摘 要】
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本文介绍一种有很低暗电流正面进光的InGaAs PIN高速光电探测器的设计和制造技术,对于光敏面为Φ40μm、20μm,和Φ12μm的高速光电探测器芯片,测量出其电容分别为173FF、60FF和34FF;-5v反偏暗电流为~0.1nA,1.31um波长响应度为~0.8A/W;装配在载体上测量出到18Gb/s有平坦的响应曲线.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所(石家庄市)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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本文介绍一种有很低暗电流正面进光的InGaAs PIN高速光电探测器的设计和制造技术,对于光敏面为Φ40μm、20μm,和Φ12μm的高速光电探测器芯片,测量出其电容分别为173FF、60FF和34FF;-5v反偏暗电流为~0.1nA,1.31um波长响应度为~0.8A/W;装配在载体上测量出到18Gb/s有平坦的响应曲线.
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