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本文首次介绍了用低温MOVPE技术,研制成功具有非掺杂InP 肖特基势垒增强层的InCaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD).其暗电流在 1.5伏下小于 60 nA(100 ×100)微米~2;响应时间t_r小于30 ps(6伏).其灵敏度在6 V下为0.42 A/W.
长波长低暗电流高速In0.53Ga0.47AS MSM光电探测器
【摘 要】
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本文首次介绍了用低温MOVPE技术,研制成功具有非掺杂InP 肖特基势垒增强层的InCaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD).其暗电流在 1.5伏下小于 60 nA(100 ×100)微米~2
【机 构】
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ShanghaiJiaotongUniv
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1991年12期
【基金项目】
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中国国家自然科学基金会和德国德意志研究联合会的联合资助
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