GaN晶体管相关论文
在国产的GaN/AlGaN外延材料上,通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,制作出具有T型栅的GaN HEMT(high-e......
本文主要讲述了宽禁带功率管的发展及GaN晶体管的优势,并以部分公司的GaN产品为基础,介绍了GaN晶体管以及其在MCM(多芯片组件混合......
蓄电池凭借其高功率密度、高可靠性及价格低廉等特性在储能场合得到了广泛应用。在蓄电池储能应用中需要采用功率变换器进行充放电......
氮化镓(Gallium Nitride,GaN)新型半导体器件具备优异的电气性能,具有硅(Silcon,Si)半导体器件难以比拟的巨大应用优势和潜力。在......