高压LDMOS相关论文
离线式单片电源管理IC是近年来发展的新型功率集成电路,推动了电源系统向高功率密度、小外形尺寸、高效率、高性能、高可靠性、高......
本文在SYNOPSYS公司软件TWB(TAURUS WORK-BENCH)构作的虚拟工艺平台基础上，利用工艺仿真软件TSUPREM-4和器件仿真软件MEDICI，设计了......
高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）是高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit，HVIC）和智能功率集成电路（Smart Power In......
通过分析低压MOS中存在的漏电路径,针对高压LDMOS面积大,最小宽长比有限制的特点,提出了一种更加适用于高压LDMOS的新型抗总剂量辐......
本文提出了在LDMOS的高温等效电路，讨论了LDMOS泄漏电流及本征参数在25℃-300℃范围内随温度变化规律，根据本文分析：源漏Pn结的反向泄......
针对标准MOSFET的BSIM4模型在高压LDMOS建模及已有LDMOS紧凑模型的不足，提出一种LDMOS宏模型。在本研究中，借助Spectre软件分别对宏......
这篇文章提出了高压LDMOS的高温等效电路,并在此基础上讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在25℃-300℃范围内随温度变化规律.根据本......
高压MOS器件具有复杂和特殊的结构,存在自热效应与沟道长度调制效应.这些效应使饱和区电流会随电压的增加而减小,即存在负阻效应.......
针对标准MOSFET的BSIM3和PsP模型在高压LDMOS建模上的不足，提出了基于PsP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I—V模型。在研究过程......
提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF新结构高压LDMOS器件．该结构器件与常规LDMOS相比，采用了相对较薄的外延层，使之与标准CMOS工艺的兼......
高压LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)器件是电力电子模块和电力电子系统的核心器件,具有高耐压、大功率、大电流、易集成、......
基于一款LED驱动芯片中耗尽型高压NLDMOS器件的参数要求，提出一种耗尽型高压NLDMOS的器件结构和参数设计优化方法。分析了沟道注入......
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器件模型是连接工艺生产与电路设计的桥梁,是电路设计十分关键的环节。LDMOS等功率器件具有开关速度快、热稳定性好等优点,其工艺......
单片式智能功率集成电路具有成本低、体积小、工作稳定等诸多优点,自20世纪90年代中期问世以来已得到广泛应用。功率半导体器件是......
RESURF(REduced SURface Field)技术是设计横向功率器件的关键技术之一。Double RESURF 技术在提高器件反向耐压的情况下,可使器件......
SOI技术是21世纪重要的主流集成技术之一。它为器件及SOI技术提供了良好的隔离，减少了寄生效应，提高了工作速度，而且具有抗辐射能力强......
目前,高压工艺技术已经变得越来越成熟,其应用领域也越来越广泛.但是其 ESD 保护技术却一直受到狭窄的设计窗口,可靠性等问题困扰.......
