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针对标准MOSFET的BSIM3和PsP模型在高压LDMOS建模上的不足，提出了基于PsP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I—V模型。在研究过程中，使用Agilent系列直流测试设备及ICCAP参数提取软件和ADS仿真器对高压LDMOS晶体管进行数据采集及参数提取。在开放的PSP模型Verilog—A代码基础上完成改进代码的实现。最终的结果表明，采用改进后的模型，仿真曲线与测量的I-V曲线十分吻合，该模型大大提高了PsPI—V模型模拟高压LDMOS晶体管时的精确度，对于实用高压集成电路的设计和仿真有