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铁电随机存储器(FRAM)因其具有诸多的优点而成为备受瞩目的下一代新型存储器之一,但是由于其自身存在的疲劳、极化保持损失、印记等失效问题大大制约了其发展和商业化应用。其中尤其是疲劳失效和薄膜内部存在氧空位缺陷密切相关。本文对疲劳进程中铁电薄膜表现出的疲劳现象进行研究,对疲劳失效机理进行理解和分析,并提出可提高铁电存储器的抗疲劳性的可行性方案。(1)在基于XRD光谱测试的传统应力测试方法上提出了一种新的应力测试方法。其创新之处是并不需要通过倾斜X射线入射角以测得同一晶面在不同倾斜角下的面间距。通过与传