选择性生长相关论文
金-银核-壳纳米结构具有更强的表面等离子体响应，在紫外-可见-近红外区有更宽的吸收和散射及非常独特的光学性质等优势，广泛应用......
采用微波等离子体化学气相沉积（ MPCVD）法在附有 SiO2掩摸的硅衬底上选择性沉积出 了金刚石膜。采用扫描电子显微镜（ SEM）和 Raman光......
快速内皮化是降低心血管材料植入后再狭窄和晚期血栓等并发症的重要手段。植入材料表面内皮细胞(EC)的选择性粘附和增殖，以及随......
金属有机骨架(MOF)材料是一种由金属离子或者离子簇与有机配体通过配位作用自组装形成的具有周期性网状结构的多孔晶体材料。因为M......
一、引言 金刚石薄膜作为一种新型多功能材料,其制备和应用研究在近几年内取得了飞速的发展.目前,用各种化学气相沉积方法(CVD)合......
通过传统的光刻工艺和纳米引晶技术 ,在抛光的单晶Si衬底上形成带有超细金刚石纳米粉的引晶图案 ,并利用该图案与抛光Si处金刚石成......
通过在ZnO种子层上沉积一层钝化层，这样水热法所制备的纳米杆只会生长于边缘，来得到边缘选择性生长的ZnO纳米杆阵列。该方法能够生长......
采用光刻工艺和纳米引晶技术 ,在抛光的单晶 Si衬底上形成带有超细金刚石纳米粉的引晶图案 ,并利用引晶处与抛光 Si处金刚石成核密......
纳米科技是在20世纪80年代末才发展起来的多学科交叉、基础研究与应用探索相结合的新兴学科。近年来，随着纳米技术的兴起和在高新技......
碳纳米管(CNTs)是一维的纳米材料,具有很高的长径比.定向的碳纳米管薄膜是它们沿轴向排列的宏观有序结构,具有优异的性能和广阔的......
GaN基发光二极管(LEDs)是未来应用于通用照明最有前景的固态光源,有希望取代目前普遍使用的白炽灯和荧光灯,其广泛应用将可以节约......
单壁碳纳米管(SWCNTs)具有优异而且丰富的力学、光学、电学和化学性质，被广泛认为是有可能取代硅材料，成为构建下一代纳米电子学器件......
单壁碳纳米管水平阵列是构建构筑下一代碳基纳电子器件的理想材料，已在存储器、传感器、集成电路芯片等领域展现出诱人的应用前景。......
单壁碳纳米管独特的电学和力学性质促进了其在柔性器件和太阳能电池等方面的应用研究。单壁碳纳米管在电子器件领域的应用要求具有......
由于金刚石优异的性能，它在信息、生物、航空、新能源等各方面都很有应用前景。化学气相沉积金刚石能够实现大面积，高质量，低成本。这......
利用偏压增强MPCVD法成功地实现了金刚石薄膜在附有SiO2掩膜图形的镜面抛光的Si(100)上的选择性织构生长，列举了最佳偏压成核与选择......
肝外胆管癌约占所有胃肠道恶性肿瘤的3%.国人发病的高峰年龄60～65岁(西方国家70～80岁),男性多于女性(1.4:1).胆管癌的发生是在环境因......
介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程。结果证明,用高......
阐述了模板的动力学控制作用对大尺度有序结构特别是亚稳相的生长,对自由能相差很小的异构体的选择生长所具有的重要作用.汲取现有......
通过使用氩气作为传输气体在金属／绝缘体／半导体（MDS）基底上，利用热量分解存在挥发性催化剂的不固定碳氢化合物的气压CVD工艺，生长多壁碳......
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Ion-Conductive-Polymer-Film Actuators with Pt Electrodes Selectively Grown using Non-Electrolyzed Pl
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采用光刻工艺和纳米引晶技术，在抛光的单晶Ｓｉ衬底上形成带有超细金刚石纳米粉的引晶图案，并利用引晶处与抛光Ｓｉ处金刚石成核密度的巨大差......
利用水热合成方法在图案化的Au岛上合成了ZnO纳米棒图案，采用的溶液体系为人次甲基四胺和硝酸锌溶液，ZnO纳米棒的基底是ITO导电玻璃......
采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法在附有SiO2掩摸的硅衬底上选择性沉积出了金刚石膜。采用扫描电子显微镜（SEM）和Raman光谱仪对......
通过传统的光刻工艺和纳米引晶技术，在抛光的单晶Ｓｉ衬底上形成有超细金刚石纳米粉的引晶图案，并利用该图案与抛光Ｓｉ处金刚石成核 密度的......
作为第三代半导体材料之一,碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高等特点,是高温、高频、......
ZnO是一种重要的半导体材料,具有优良的物理、化学、光学、电学等性质。本文通过低温液相法制备出具有阶层结构的氧化锌球形微纳米......
药物多晶型现象与共晶现象对于药物的稳定性、溶解度等诸多物理、化学性质具有一定的影响,在药物结晶领域具有非常重要的意义。自......
碳纳米管（CNTs）具有优越的电学性能,在电子器件的制备方面有广阔的应用前景。化学气相沉积法（CVD）能够在基底上直接得到碳纳米管阵列,......
石墨烯由于具有超高的载流子迁移率以及其它独特的性质,在高速电子器件领域展现出非常大的应用潜力。在众多制备石墨烯的方法中,高......
锗硅(Si1-xGex)是硅和锗组成的半导体合金材料。除具有硅材料的优点外,还具有能带可调以及应力调整等自身的特性,同时它还与目前先......
从金刚石薄膜半导体器件的实用要求出发,比较了金刚石薄膜的各种图形化技术,研究了它们各自的特点和适用性,如播种法选择性生长、......
本文主要研究了在常态（常温、常压等）条件下，利用金属催化化学腐蚀方法在硅片表面上大面积制备排列整齐、取向一致的硅纳米线阵列。同......
