在新材料ＳＩＭＯＸ上制作ＣＭＯＸ器件，并采用静态Ｉ－Ｖ技术，研究了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ在＾６０Ｃｏ－λ电离辐照场中辐照感生界面态、氧化物正电荷、阈值电压、静态电流等参数的变化。结果......

建立了半导体空间电势与界面氧化物正电荷之间联系的解析表达式。从一维情况下精确的泊松方程及其边界条件出发,对N（P）型硅半导体中......

时于制作工艺相同的NPN和LPNP两种类型的双极型晶体管进行了辐照实验，研究了不同类型双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理和退火效......