【摘 要】
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建立了半导体空间电势与界面氧化物正电荷之间联系的解析表达式。从一维情况下精确的泊松方程及其边界条件出发,对N（P）型硅半导体中的泊松方程作积累（耗尽）近似,根据德拜屏蔽效应
【机 构】
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西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室
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建立了半导体空间电势与界面氧化物正电荷之间联系的解析表达式。从一维情况下精确的泊松方程及其边界条件出发,对N（P）型硅半导体中的泊松方程作积累（耗尽）近似,根据德拜屏蔽效应对边界条件作截断近似,得到了氧化物正电荷影响下两种类型半导体内电势的近似解析解。另外,还进行了精确数值计算,并将它与近似解析解的结果进行比较,结果表明,当氧化物正电荷增加到使P型半导体发生强反型后,近似解不再成立。根据强反型的条件,给出了P型半导体中近似解的适用范围。
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