垂直腔面发射半导体激光器相关论文
报道了国内首次实现出光功率达到毫瓦量级的单横模1550?nm波段垂直腔面发射半导体激光器(vertical-cavity?surface-emitting?laser......
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垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)具有可调控的光斑形貌、易于二维集成、窄光谱宽度、尺寸小等独特优势,尤其是VCSEL激光器高的波......
期刊
The enlargement of the emitting aperture is usually one of the important methods of increasing verticalcavity surface-em......
由Van Cittert-Zernike提出的部分相干光定理出发，研究了大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其列阵器件的空间相干特性。采用杨氏双......
研究大功率底发射VCSEL 单管器件光束质量,分析了电流、出光孔径、衬底厚度等因素对M因子、远场发散角、近场及远场光强分布等......
垂直腔面发射半导体激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)是一种性能优良的新型光源。它能够实现芯片表面的激光......
垂直腔面发射半导体激光器具有低阈值，长寿命，面发射易于二维集成等众多优点，使其在自由空间光互连，光通信，光信息处理以及各种高速并行......
该文从理论上研究了增益波导垂直腔面发射半导体激光器的电过程和光波导过程,以及具有梯形截面掩埋结构的垂直腔面发射半导体激光......
垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers,简称VCSEL)是一种发展潜力很大的激光源。其优点在于发散角小,转换......
学位
利用数值模拟的方法研究了电流调制下偏置电流和调制频率对垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)混沌动力学特性的影响。数值模拟结果......
垂直腔面发射激光器的单模输出特性在光网络数据传输光互连、光存储和激光打印中有重要的应用。传统的氧化限制型垂直腔面发射半导......
期刊
对于顶面出光的浅面浮雕VCSEL结构,有源区的电流密度分布的不均性制约着单模稳定性的提高。为此,提出了一种新型结构:氧化铟锡透明......
根据延迟光反馈垂直腔面发射半导体激光器动力学模型,数值模拟了激光器的混沌动力学特性,分析了外腔长度和光反馈强度对激光器混沌......
外部光学结构可以作为垂直腔面发射激光器（Vertical-cavity surface-emitting laser,VCSEL）的外腔,使VCSEL的输出功率、光束质量得到......
采用光增益与载流子浓度的对数关系，考虑到非辐射复合的影响，从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的速率方程。讨......
与传统的边发射半导体激光器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有光束质量好、阈值电流低、易于二维列阵集成和制造成本低廉等优点......
TN242 96031499高效率的激光分束器=High efficiency laserbeam splitters[会,中]/王书颖(北京师范大学物理系.北京)//第八届全国......
针对量子阱有源层的结构特点,考虑增益和载流子浓度呈对数关系,建立量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程,导出了阈值......
利用数值模拟的方法研究了有源层厚度对电流调制下垂直腔面半导体激光器(VCSELs)混沌动力学行为的影响。模拟结果表明有源层厚度较......
用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和SiO2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）器件内部的热场分布和热矢......
近些年来,人工智能技术不断发展,越来越多的科学家将目光转向机器智能化的方向。神经网络在机器学习、模式识别等领域具有重要应用......
垂直腔面发射半导体激光器由于具有阈值电流低，输出光斑对称性好，模式稳定，高温工作稳定性好等特点，是近年来逐步发展起来的低功耗高精......
垂直腔面发射半导体激光器由于其加工容易、效率高、二维阵列易于集成，出射光的波长的均匀性和迁移率小，出射光是圆形光束，容易进行光......
为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器......
期刊
本文从减少器件生热的角度出发,设计并制作了一种980nm内腔接触式VCSEL。采用器件模拟软件PICS3D分别模拟了传统结构和内腔接触式......
在现代激光技术高度发展的今天,激光器的应用领域在不断增加,广泛应用到激光通信、激光测距、激光用作热源、激光武器等生活和军事......
本文引入了辐射桥电极和A1N钝化膜结构,设计并制作了一种980nm新型辐射桥结构VCSEL。利用有限元热分析软件ANSYS模拟了常规结构和......
湿法氧化工艺是近些年来制作垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的新工艺，与传统工艺相比具有工艺简单、氧化尺寸易于控制并且可以形成......
学位
理论分析了温度对垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)工作性能的影响,利用VCSEL的增益-腔模失配理论设计了适用于高温环境下工作的VC......
为得到高温环境下894. 6 nm稳定波长激光输出的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL),设计并制备了腔模位置不同的VCSEL芯片;通过对VCS......
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