双异质结构相关论文
本文成功设计并生长出了InAlN/GaN/AlGaN/GaN双异质结构材料,表现出优异的高温载流子输运特性,573 K时电子迁移率高达426 cm2/(V·......
用分子束外延技术在P型PbTe[100]衬底上成功地生长出Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)Te_(0.984)/Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)T......
由于在微波、大功率、高温、高压等方面具有得天独厚的优势,GaN基(包括InN、GaN、AlN及其合金)半导体技术近10年来得到了飞速的发......
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)凭借高击穿电压、高电流密度、高热稳定性等优点被学术界和工业界广泛关注,在宽禁带半导体领域始终发......
简要介绍了 GaAs 大光腔、大功率激光器的制作、性能参数,讨论了其制作关键。...
研究了InGaN/AlGaN双异质结构(DH)蓝光发光二极管(LED)的电学和光学性质,实验表明,器件正向偏压下的I-V特性偏离了pn结二极管的肖克莱模型的结果,并且载流子的主......
本文提出了对中红外双异质结构光伏探测器的探测率优化研究.本文把关于暗电流的简单近似分析表达式同全数字计算作了比较,并阐述了......
期刊
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料及2DEG具有优越的电学性能,使得GaN基高电子迁移率晶体管在抗击穿、耐高温及微波功率器件应用方面极具潜......
由于GaN基材料的宽禁带、高饱和电子漂移速度和高击穿场强等优良特性,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管得到了广泛关注和迅猛的发展。......
近些年来,为了解决常规的单异质结构载流子限域性差、漏压较高时关断特性差、漏电严重的问题,发展了带有背势垒的氮化物HEMT。本文重......
由于在微波、大功率、高温、高压等方面具有得天独厚的优势,GaN基(包括InN、GaN、AlN及其合金)半导体技术近10年来得到了飞速的发展,特......
由于其宽带隙、高电子漂移速度、高临界击穿电场强度、强自发极化及压电极化等突出优点,GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在制作高频......
随着科学和技术的发展,人们的生活也有着日新月异的变化,科学和技术给人们带来了方便的同时,也带来了环境污染和许多潜藏的危机,目......