互补双极工艺相关论文
随着微电子技术和嵌入式设计的发展,越来越多的应用需要对一些信号幅度较弱的进行检测和测量。这些幅度较弱的信号需要在抑制干扰......
本文综合运用硅硅键合、深槽刻蚀、多晶硅回填、化学机械抛光和离子注入技术,进行了介质隔离互补双极工艺技术研究,实现了纵向PNP......
介绍了一种互补双极工艺的关键器件VPNP的性能优化技术，在工艺和器件仿真的基础上，采用原发于改善高速NPN管性能的SIC技术，应用于VPNP......
介绍了一种采用介质隔离互补双极工艺制造的单片高速宽带电压反馈型运算放大器。着重分析了电路的工作原理、设计特点和制造工艺。......
介绍了互补双极工艺的发展过程、自身优势及其在产业中的应用，讨论了典型的现代互补双极工艺中的SOI全介质隔离和多晶硅发射极......
通过对P-N结隔离和SOI全介质隔离技术的对比研究，提出了一种适用于100V以内的单晶硅深槽介质隔离工艺，隔离电压100V时，相邻隔离岛......
介绍了一种互补双极工艺的关键器件VPNP的性能优化技术，在工艺和器件仿真的基础上，采用原发于改善高速NPN管性能的SIC技术，应用于VPNP......
第三代(3G)无线基站、自动测试与测量以及便携式计算设备等先进应用系统都需要高性能的模拟组件.各家公司都在利用先进的工艺技术......
新一代无线应用、自动化测试与测量、医疗仪器及图像处理、便携式运算装置等都需要高效能模拟组件，并且对其低功耗的效能要求日益提......
提出了一种基于互补双极工艺的新型余量放大器.该余量放大器由电阻反馈阵列、开关电流阵列和互补双极运算放大器组成,采用了恒定共......
简述了高速运算放大器的进展，着重描述了８０年代末期基于互补双极工艺发展起来的电流反馈运算放大器的原理，特点，应用及制造工艺，分析了电......
在３μｍ工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺（ＣＢ）。利用此工艺制造出特征频率分别为３．２ＧＨｚ和１．６ＧＨｚ的高性能ＮＰＮ与ＰＮＰ管，并成功地集成在压摆率高达２２００Ｖ／μｓ的高速......
介绍了一种采用介质隔离互补双极工艺制造的单片高速宽带电压反馈型运算放大器。着重分析了电路的工作原理，设计特点和制造工艺。最......
介绍了一种超高速运算放大器,其转换速率为2000 V/μs、建立时间为25ns(精确到0.1% )。重点叙述了其电路结构、工作原理以及PN结隔......
以电流模技术和互补双极工艺制造的集成电路具有良好的高频性能,用其构成的电流反馈放大器频带宽,转换速率高,在视频和射频信号的......
本文介绍了硅超高速集成运算放大器的电路设计，版图设计和工艺研究情况。...
基于互补双极工艺技术,设计出了一种二进制电流源加权型结构的高速12位电流型D/A转换器,与基于CMOS工艺技术的实现相比,该D/A转换......
本文对目前国内外制作高速集成运算放大器新采用的互补双极工艺作了一粗略分析。并结合作者在ＣＢ工艺方面的实验和国内当前工艺和设备......
新一代无线应用、自动化测试与测量、医疗仪器及图像处理、便携式运算装置等都需要高效能模拟组件，并且对其低功耗的效能要求日益提......
随着科技的不断发展进步,很多电子系统中对集成运算放大器速度、带宽以及更小能耗都提出了更高的性能要求而互补双极模拟电路工艺......
简述了高速运算放大器的进展，着重描述了８０年代末期基于互补双极工艺发展起来的电流反馈运算放大器的原理、特点、应用及制造工艺，分析......
本文对目前国内外制作高速集成运算放大器新采用的互补双极（ＣＢ）工艺作了一粗略分析。并结合作者在ＣＢ工艺方面的实验和国内当前工艺和设备......
介绍了几种互补双极工艺的结构和特点,详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补双极工艺;着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点......
在3μm工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺(CB)。利用此工艺制造出特征频率分别为3.2GHz和1.6GHz的高性能NPN与PNP管,并成功......
介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展.重点介绍了BiCMO......
