x)C_x相关论文
用急冷方法制备的Nd_4Fe_(77.5)(B_(1-x)C_x)_(18.5)合金带、当x0.8时是晶态,表明用碳替代硼会使合金的非晶形成能力变差,分析了热......
The crystal structure and the superconductivity for samples Mg(B 1-x C x) 2 (0 ≤ x ≤ 0.09) prepared by a hybrid microw......
本文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学气相沉积 (VHV- PECVD)复合腔系统沉积a- Si1-XCX∶ HK薄膜及其特性。系统的真空度可......
利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%~1.0%的Si1?xCx合金, 研究了不同注入剂量下Si1?xCx合金的形成及其在退火过......
本文对在不同B2H6浓度下制备的a-Si1-xCx:H薄膜进行热退火处理,利用四探针法分析了退火时间和掺杂浓度对薄膜电导特性的影响。结果......
晶态 Ga·P·As 化合物发光二极管已广泛用于电子工业,但成本较高,最近我们已用廉价的非晶态材料研制出一种新的 P~+μc-Si∶H/pn......
本文介绍了一种新的p~+μc-Si:H/pn~-in a-Si_(1-x)C_x:H/n~+μc-Si:H多层结构电注入发光器件.首次在室温下用肉眼直接观察到了蓝......
