PECVD法相关论文
石墨烯是一种新型二维晶体材料,其中碳原子是通过sp2杂化方式形成,因其独特的结构拥有优异力学、热学、光学及电学性质,使其非常适......
作为一种器件表面介质膜，SiNx薄膜已被广泛应用于IC以及太阳能光伏器件的制造中。在高效太阳能电池研究中，发射结表面钝化和减反射一......
纳米非晶硅(hydrogenated nano-amorphous silicon，na-Si：H)因具有类似非晶硅(a-Si：H)的高光吸收系数(达10~5数量级)和光敏性，同时又具......
高效率低成本的晶体硅太阳电池的制备对于大规模利用太阳能发电有着十分重要的意义。制备性能优良的减反射钝化薄膜是生产高效率低......
采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a-C:F,研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系,测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数,并用FTI......
在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为......
用玻璃作衬底在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅（a-Si：H）薄膜，在400℃和500℃分别光退火5min、10min、20min、30min、40min、60min......
为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样......
以CH4为碳源,Ar气为载气,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅(100)衬底上制备了类金刚石(DLC)薄膜。利用拉曼(Raman)光谱......
为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,......
用PECVD法直接沉积的非晶硅（a-Si：H）薄膜用传统炉在中温退火，然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析，发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子......
用PECVD法直接沉积的非晶硅（a—Si：H）薄膜在中温情况下光退火，然后用XRD、Raman光谱和SEM分析，发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量......
CdTe薄膜太阳电池已成为近年来国内外研究的热点。为了提高CdTe电池的转换效率,通过减薄CdS层的厚度以增加可见光的透过率。然而,C......
高纯度和高产率的制备碳纳米管是碳纳米管研究的一个重点。目前制备碳纳米管的方法有电弧法、激光蒸发法、化学气相沉积法（又称CVD......
通过PECVD法，用玻璃作衬底在30℃、350℃和450℃下直接沉积非晶硅（a—Si：H）薄膜，在600℃和850℃下退火三个小时，把前后样品用拉曼光谱和X......
