PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

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【摘要】

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在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为SiF4和H2混合气体.加入少量的SiH4后,沉积速

【作者】

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邱春文石旺舟黄羽中

【机构】

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汕头大学

【出处】

：

液晶与显示

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

PECVD法多晶硅薄膜低温沉积太阳能电池等离子体增强化学气相沉积法 plasma enhanced chemical vapor deposition

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在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为SiF4和H2混合气体.加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍.分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFm Hn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团.

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