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本文利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布；由Ｔｅｌｓｔｅｐ－Ｈｏｂｂｓｏ轮廓仪研究了ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面特性。结果表明ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ制备的氮化硅薄膜是一种表面均匀平整度好的薄膜。
氮化硅薄膜的表面平整度特性
【摘 要】
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本文利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布；由Ｔｅｌｓｔｅｐ－Ｈｏｂｂｓｏ轮廓仪研究了ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面特性。结果表明ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ制备的氮化硅薄膜是一种表面均匀平整度好的薄膜。
【机 构】
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佛山大学应用物理与通信工程系
【出 处】
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量子电子学报
【发表日期】
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2000年4期
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