CDS薄膜相关论文
采用化学水浴沉积法(CBD)分别在醋酸镉溶液体系和硫酸镉溶液体系中沉积CdS薄膜。对两种Cds薄膜的表面形貌、晶体结构、光透过率和......
近年来,CdS/CdTe太阳能电池因其高光伏效率、低制造成本得到了广泛的关注.本文主要介绍了本创新团队制备CdS/CdTe异质结太阳能电池......
Ⅱ-Ⅵ族半导体材料CdS薄膜因其对可见光敏感,是一种重要的光敏半导体,被广泛应用于光电子学领域.在光伏转换方面,CdS作为直接能隙......
AZO/CdS/Si异质结太阳电池与结构和掺杂工艺复杂的传统晶体硅电池相比,具有结构简单、制备步骤少及成本低的优势。采用磁控溅射法......
采用化学水浴法制备了大面积CdS多晶薄膜,研究了薄膜的形貌、结构和光学性质,结果表明,大面积CdS多晶薄膜具有良好的均匀性,通过优......
通过对用化学溶液法制备硫化镉薄膜的微观生长过程和机理的研究， 建立一种在溶液中进行超声波化学制备硫化镉半导体薄膜的方法． 用扫......
本文利用化学水浴法(CBD),在大气环境下制备CdS薄膜,研究了薄膜沉积时间对薄膜的结晶性能和光学性能有一定的影响，而且搅拌与否对薄......
大力推广应用太阳能是全人类关注的事业。太阳电池利用光生伏特效应可以直接将太阳光能转化为电能，是全世界科技工作者的研究热点。......
光电化学电池近几十年在光解水、燃料电池、光电转换等方面的研究取得了巨大的进展,特别是近年来染料敏化太阳能电池的成功,让人们......
薄膜太阳能电池作为一种新的能源材料正在得到迅速的发展和进步,CdS多晶薄膜太阳能电池由于具有成本低廉、性能稳定、工艺简单等特......
硫化镉(CdS)作为Ⅱ族-Ⅵ族中一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料，在光电领域和太阳能电池等方面有很好的应用。基于CdS在太阳能光......
采用化学水浴法在玻璃衬底上制备了纯CdS薄膜和稀土Dy、La掺杂的CdS薄膜,在氮气气氛中,T=300℃、350℃、t=40min条件下对薄膜进行......
本文以CdTe太阳电池制备工艺中两项关键性技术——窗口层CdS与背接触层ZnTe的制备为基础进行研究。主要内容如下：1.采用化学水浴法(......
本文以醋酸镉、氨水、硫脲为主要原料采用化学水浴沉积法制备出CdS薄膜，深入探讨了沉积温度、沉积时间、成膜溶液的pH值、退火条件......
本论文的研究内容系“九五”科技攻关项目——《Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体多晶薄膜太阳电池的研制》的一部分。论文以CdTe／CdS薄膜及其异......
采用脉冲激光沉积(PLD)法在玻璃衬底上,通过调节真空室气压和热处理温度制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜吸收层和硫化镉(CdS)薄膜缓冲层。......
本文用化学沉积法和电化学沉积法制备太阳能电池用半导体薄膜硫化镉(CdS),对成膜的影响因素进行了测试.结果表明,化学沉积CdS质量......
采用化学水浴法,在醋酸镉、硫脲、氨水、醋酸铵的体系中制备CdS薄膜,设计L2556正交实验,研究了各沉积参数对前驱物利用率的影响。......
采用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备纳米级ZnO和CdS薄膜。研究掺In和热处理对ZnO、CdS薄膜结构、光学特性的影响。实验给出 ,适当......
采用化学水浴法在玻璃衬底上制备了纯CdS薄膜和稀土La掺杂的CdS薄膜,在氮气气氛中对薄膜进行热处理.结果表明,未掺杂样品为立方闪......
采用XRD,AFM,XPS和光学透射谱对化学水浴法制备的CdS多晶薄膜进行了测试分析.刚沉积的CdS多晶薄膜均匀、透明、致密,主要呈现立方......
在载玻片或ITO涂覆的玻璃上采用化学热解法沉积CdS固体薄膜,沉积温度在350～540℃之间.部分制备的CdS薄膜进行200～600℃的退火热处理.......
对CdS进行CdCl2后处理是制备高效率CdS／CdTe多晶太阳能薄膜电池的关键步骤。研究了CdS薄膜的CdCl2气相热处理，用XRD、UV／Vis表征热处......
采用化学水浴法(CBD)在30 cm x 40 cm TCO衬底上沉积了CdS多晶薄膜,研究了薄膜性质,并应用于太阳能光伏电池,制成了许多独立的小面......
在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中,化学沉积CdS半导体薄膜,薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系,表明薄膜的生长速度是由OH......
在载玻片或ITO涂覆的玻璃上采用化学热解法沉积CdS固体薄膜,沉积温度在350～540℃之间.部分制备的CdS薄膜进行200～600℃的退火热处理.......
CdS窗口层光谱透射率的提高对cdTe-HgCdTe叠层太阳电池有效利用入射太阳光并增大电池的短路电流密度有重要的影响。通过研究化学水......
采用化学浴沉积法(CBD)在硫酸镉、硫脲、氨水、氯化铵溶液体系中制备了CdS薄膜,研究了水浴温度对CdS薄膜的生长过程和物理性能的影......
分别采用化学池沉积(CBD)和真空蒸发法,在三种衬底(玻片、ITO玻片、SnO2玻片)上沉积CdS薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射......
CdS films prepared with chemical pyrolysis deposition (CPD) at differ-ent temperature during film growth were characteri......
采用化学水浴法（CBD）在30cm×40cm TCO衬底上沉积了CdS多晶薄膜，研究了薄膜性质，并应用于太阳能光伏电池，制成了许多独立的小面积Cd......
将近空间升华法（CSS）沉积所得的CdS薄膜进行退火处理，利用XRD、SEM、暗电导温度关系研究不同退火条件对CdS多晶薄膜性能的影响．结果表......
采用硫代硫酸钠、硫酸镉，配以有机酸NTA调节溶液pH值，首次在碱性环境中电沉积制备CdS薄膜，并将其应用到Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜太阳能电池......
半导体材料CdS薄膜具有优良的光电特性，一直受到人们的关注，广泛用于许多无机薄膜太阳电池的n型窗口层。用CdS薄膜组装的光电化学电......
CdS是一种直接能隙半导体，其带隙约为2．42eV，是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。化学水浴法沉积CdS薄膜具有工艺简单，成......
采用超声搅拌化学浴法（UCBD）在SnO2：F 透明导电玻璃衬底上制备了CdS薄膜.研究了退火和CdCl2处理对UCBD-CdS薄膜的表面形貌、晶体结构......
CdS films were prepared with chemical pyrolysis deposition (CPD) at 450℃ during film growth, and these CdS films were a......
在光电化学电池中,电解液担负着传递电子的重要责任,因此选择一个最优的电解液对于电池整体效率的提高非常重要。本文通过对CdS薄......
本文采用简易的化学水浴沉积法和自牺牲模板法制备CdS、CdSe薄膜,对两种薄膜进行了XRD表征,比较了两种薄膜的紫外吸收光谱并研究了......
采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射（XRD）仪确定退火后的......
通过喷雾热解获得CdS薄膜,水热法合成CdS纳米晶,在氮气中做了退火处理,发现CdS膜的吸收边随退火温度升高而移动;经暗电阻与温度关......
采用化学沉积法（CBD），在pH值为9，10，11的三种溶液中进行沉积制取CdS薄膜，并利用X射线衍射（XRD）、透射光谱和原子力显微镜：（AFM）对沉积膜进行了......
采用化学水浴沉积法制备了半导体薄膜硫化镉（CdS）太阳能电池材料，对影响成膜的因素以及薄膜的结构和光学性能进行了初步测试研究。结......
研究了溶液pH值对化学浴沉积CdS薄膜表面形貌及光学性能的影响。在CdS04、硫脲和氨水的混合溶液中，在玻璃基底上制备了CdS薄膜。实......
用化学沉积方法在沉积温度为90℃下制备了CdS薄膜。研究了直接退火处理和涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理对CdS薄膜的影响。利用X......
重点考察了化学水浴沉积法（CBD）制备CdS多晶薄膜时pH值对薄膜质量的影响规律。分别采用SEM、XRD、UV光谱仪和台阶仪研究了薄膜的表面......
