AlN插入层相关论文
采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)在r面蓝宝石衬底上生长a-AlGaN外延膜,研究了AlN插入层对a-AlGaN外延膜的应力和光学性质的影响。......
提出了一种含有Al N插入层的新型Al组分渐变的N极性Ga N基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,并通过自洽求解一维薛定谔方程和泊松方程......
采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)在r面蓝宝石村底上生长α-AlGaN外延膜,研究了AlN插入层对 α-AlGaN外延膜的应力和光学性质的影......
比较有无AlN插入层AlGaN/GaN HEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入......
采用有机金属化学气相沉积（MOCVD）在r面蓝宝石衬底上生长a-AlGaN外延膜,研究了AlN插入层对a-AlGaN外延膜的应力和光学性质的影响。根......
对Si（111）衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2（TO）模式下的测试分析发现,随着......
由于AlN材料和GaN材料之间2.78eV的导带断续以及III族氮化物材料所具有的较强的极化效应,当AlGaN和GaN形成异质结材料时,在其界面......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
采用MOCVD制备了带有Al N插入层Al Ga N/Ga N异质结构外延材料,对外延材料分别进行了原子力显微镜AFM、双晶XRD以及变温HALL测试。......
采用MOCVD制备了带有AlN插入层的高Al组份AlGaN/GaN异质结构外延材料,在此外延材料的基础上利用磁控溅射Ti/Al/Ti/Au欧姆接触电极,......
利用高分辨X射线衍射仪（HRXRD）及原子力显微镜（AFM）研究了低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响。结果表明,低......
随着第三代半导体GaN基电子材料和器件研究向高频和大功率方向的不断发展，常规AlGaN/GaN异质结电子材料因晶格失配的产生的一些问题......
