【摘 要】
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对Si（111）衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2（TO）模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2（TO）峰位
【机 构】
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专用集成电路国家级重点实验室,哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
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对Si（111）衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2（TO）模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2（TO）峰位逐渐接近体GaN材料的E2（TO）峰位（无应力体GaN材料的E2（TO）峰位为568cm-1）,计算得出GaN材料的应力从1.09GPa减小到0.42GPa。同时,使用室温光荧光谱进行了分析验证。结果表明,Si衬底上GaN外延材料受到的是张应力,通过低温AlN插入层技术可以有效降低GaN材料的应力,并且最终实现
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