提出了4H-SiC超级结结构反向击穿电压的二维解析模型。通过求解Poisson方程,获得了反向击穿电压的解析表达式,该表达式描述了反向......

基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模......

采用二维器件模拟器ISE TCAD7．0，对比研究了6H-SiC和4H-SiCVDMOS的基本特性。结果表明，在Vgs为8V时，4H-SiCVDMOS的漏极电流比6H-SiC高......

提出了一种改进的4H．SiCMESFET非线性直流解析模型，基于栅下电荷的二维分布，对该模型进行了分析，采用多参数迁移率模型描述速场关系。......

研制出国内第一个高频4H-SiC双极晶体管。该器件采用了双台面结构和叉指结构，室温下的最大直流电流增益（β）为3.25，集电结击穿电压BVCB......

设计了一种应用于4H-SiC BJT的新型结终端结构。该新型结终端结构通过对基区外围进行刻蚀形成单层刻蚀型外延终端，辅助耐压的p^＋环位......

在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论基础上,得出了理想因子、势垒高度及串联电阻随温度变化的特性值,并结合考虑三者随温......

利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并......