非晶态薄膜相关论文
WO_3电致变色薄膜因具有着色效率高、可逆性好、响应时间短、寿命长、成本低等优点,使其在许多领域有着广阔的应用前景,因此引起了......
覆盖Pd保护层的Mg和Mg基合金薄膜可随着吸收氢原子数量的变化在高反射金属态和透明半导体态之间可逆地转变,利用这一特性可以研制......
本论文以常规晶化(CFA)和快速晶化(RTA)为方法来研究非晶态薄膜的晶化过程,通过改变晶化处理温度、时间以及不同的升温速率等工艺......
快离子导体（有时又称固体电解质）是指离子电导率接近有时甚至超过盐溶液和电解质溶液的一类固态材料。用作电致变色器件的快离子导体......
采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽、锆为靶材,在WO3/ITO/玻璃基材上制备TaOx:Zr薄膜。研究锆掺入量、掺杂方式、溅射功率等制备工......
采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在ITO玻璃上制备电致变色WOx薄膜,运用XRD衍射方法和扫描隧道显微镜(STM)测试手段对薄膜......
利用电子束热蒸发镀膜的方式，以高纯度的ZnO和TiO2颗粒为原料，以Si为基底在有氧的气氛中制备ZnO/TiO2复合薄膜。研究制备温度对ZnO/T......
采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在铟锡氧化物玻璃上制备电致变色WOx薄膜,研究了氧含量、溅射功率及溅射环境温度等工艺......
采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽为靶材,在WO3/ITO/Glass基材上制备TaOx薄膜,研究氧含量、溅射功率等制备工艺参数对TaOx薄膜性能......
采用反应磁控溅射工艺,以纯钨和纯钼为靶材在ITO玻璃上制备Mo掺杂WOx电致变色薄膜,用薄膜的透射光谱和XRD衍射方法对掺杂后薄膜的......
在单晶Si和多晶Cu基底表面上使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了SiC薄膜.通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线光......
期刊
目前,基于CMOS工艺的传统存储技术逐渐接近其物理极限,处理器和存储器之间速度差造成的计算机存储墙问题也变得越来越严重,这些都......
