非晶半导体相关论文
测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发......
半导体型非晶Fe-Si薄膜室温具有与晶体β-FeSi2相似的半导体性能,是一种低耗、高效的光伏材料。它不仅能避免β-FeSi2成分局限、制......
本文对n型非晶氧化物的制备及其在TFT器件的中的应用研究，对p型的非晶氧化物制备及其应用进行了探讨。微电子器件的透明化，柔性化是......
以六方BN和石墨粉为原料，通过机械球磨的方法制备出BCN非晶粉，对BCN非晶的成键状态和形成机理进行了实验研究．
The hexagonal BN and......
采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表......
用等离子体增强化学气相沉积法制备了厚为1 μm左右的B轻掺杂a-Si∶H光电导层，得到了a-Si∶H的暗电导率与淀积工艺参数和B掺杂比关......
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有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor,OTFT)工艺因为具有良好的可挠性、容易实现大面积制备、制作工艺成本低等优势,在目......
伴随着红外探测技术的发展，红外探测器发展到了第三代，其代表性的特征就是大面积、多色、长波和高度集成。第三代红外探测器技术发展......
作为电子工业“血液”的半导体,对整个电子工业的发展有着重要意义。而非晶半导体由于其结构上有长程无序、短程有序的特点,所以具......
碲镉汞(HgCdTe)红外探测器被广泛应用于红外探测系统,可以工作在1-3,3-5和8-12μm的大气窗口。近50年来随着HgCdTe红外探测技术的......
介绍了薄膜电池的制备技术及发展进程.采用射频等离子体加强气相沉积法(PECVD),制备了非晶锗硅薄膜,提出了制备优质非晶锗硅薄膜的......
采用等离子体辉光放电单室系统制备的 a-Si:H/a-Si1-xCx:H 多层膜结构具有低的暗电导和高的光电导特性,且不同于单层膜,有明显的 S......
采用真空熔炼法,经急冷和缓冷两种不同冷却条件制备了Te系化合物TeAsGeSi合金粉体.通过X射线衍射分析,急冷工艺制备粉体呈非晶态,......
本文的研究内容是英国物理学家内维尔·弗朗西斯·莫特的生平经历、管理工作以及科学贡献.莫特于1977年获得诺贝尔物理学奖,他是非......
对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能。研究了退火温度对薄膜电......
