金属有机物化学气相沉积相关论文
砷磷体系材料在电子迁移率方面具有很大优势,不同的材料组合拓宽了该材料体系。与锑结合的砷磷体系中波超晶格材料已经在红外探测......
非辐射共振能量转移（Non-Radiative Resonance Energy Transfer,NRET）是通过非辐射过程而发生的激子间的能量转移,在高效率的白光器......
采用金属有机物化学气相沉积设备生长InGaAs/AlGaAs应变多量子阱有源区和双氧化限制层的外延整体结构,利用断点监控电感耦合等离子......
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga0.5In0.5P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关......
氮化镓(GaN)作为一种代表性的宽禁带半导体材料，因其优异的光电性能和稳定性，十分适合制备光电子器件和微波射频器件，在照明与显示、5......
BGaN合金材料的禁带宽度在3.45.5 eV之间连续可调,对应的发光波长范围在225365 nm之间,可以用于紫外发光器件的制备。同时,通过调......
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钕钡铜氧(NdBCO)超导薄膜因在强磁场下拥有高临界转变温度(T_c)与高临界电流密度(J_c),且其本身的结晶质量与表面稳定性均优于目前......
近年来,Ⅲ族氮化物由于其优异的性能在功率电子和光电子领域的应用越来越广泛。到目前为止,绝大部分商用的Ⅲ族氮化物器件是生长在......
金属有机物化学气相沉积（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）是制备微电子和光电子领域所需的半导体薄膜材料的最主要技......
学位
YBa2Cu3O7-δ高温超导材料在超导发电机、电动机、强场磁体、限流器、储能系统等方面有着广泛的应用前景。但是直接在柔性的金属Ni......
与GaN晶格匹配的高质量AlInN材料，由于其优良的性质而被广泛应用于半导体光电子和微电子器件。Al1-xInxN的禁带宽度可以在0.7eV到6.......
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近年来，Ⅲ-Ⅴ族GaN材料及AlGaN/GaN异质结由于临界击穿场强高、热传导性好、电子饱和迁移率快和电子面密度高等优点在高频、高压和......
宽带隙半导体是现代短波长光电子技术发展的材料基础之一。对宽带隙半导体薄膜材料的制备研究和器件开发具有重要的应用价值。近十......
利用应力释放模型计算了 Zn Cd Se/Ga As间的临界厚度 ,并以该临界厚度为基础 ,用 MOVCD设备在Stranski-Krastanow (S-K)生长模式......
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采用常压金属有机物化学气相沉积技术在钛板上沉积了TiO2膜电极,研究了其制备的重要工艺参数,进行了光化学、电化学特性的测试和表......
提出了通过隧道带间级联实现半导体激光器有多个激射波长的新型物理思想 ,并以GaAs为隧道结 ,InGaAs应变量子阱为有源区 ,利用金属......
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双AIN插入层方法被用来在Si (111)图形衬底上进行AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长.Si图形......
用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上外延了高P组分的GaN1 -xPx薄膜 利用x射线衍射仪和拉曼光谱仪研究了P对GaN1 -xPx 晶......
采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二......
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在Al2O3(0001)衬底上生长ZnO薄膜,通过改变衬底温度及生长舱压力,得到了各种不同表面形貌......
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应用缓冲层对自组装结构的作用能Er 和自组装结构表面能Es 的协同作用分析了InP自组装结构在GaxIn1 -xP缓冲层表面的形貌变化 .计......
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为了提高制备铁电薄膜的可靠性和重复性，设计了基于PLC控制的液态源MOCVD系统。通过触摸屏完成系统控制、工艺参数设置及数据显示，实......
本文采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）在Si（111）衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜。高分辨率X射线衍射（HRXRD）和Lehighton非接触面电阻测......
通过金属有机物化学气相沉积方法在碳纳米管模板上生长氮化镓纳米线束.对所生长的纳米结构进行了扫描电镜和X射线能谱分析,结果显......
以乙酰丙酮铱和乙酰丙酮铂为前驱体，采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）技术在钼基体上沉积了Ptlr薄膜。研究了前驱体加热温度对P......
以三乙酰丙酮铱为先驱体，采用金属有机物化学气相沉积法，通过变温多次沉积在石英基片和热解碳层上制备出多层Ir涂层。XRD研究表明，Ir......
使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[000......
研究了InGaAs／InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征。InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌，用原子......
设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管，该发光二极管的两个AlGaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接......
在用X射线双晶衍射研究GaN和ZnO结晶性能的实验中，观察到(102)非对称衍射摇摆曲线的半峰宽比(002)对称衍射更窄以及ZnO(002)摇摆曲......
采用金属有机物化学气相沉积法生长了两种不同结构参数GaAs/AlxGa1-xAs量子阱材料。利用傅里叶光谱仪分别对势垒中Al组分为0.20,0.......
在不通入活性气体的条件下,采用三乙酰丙酮铱金属有机物化学气相沉积方法制备铱薄膜.结果表明:低于190℃长时间加热使先驱体分子结......
采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇......
报道了应用于医疗器械的InP基1730nm波段半导体激光器．外延片采用低压金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）生长，有源区为5个周期的InGaAs......
应用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法,在c轴取向的GaN上生长出Fe颗粒薄膜以及Fe3N薄膜。应用XRD、AFM、XPS以及SQUID等技术对薄膜......
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),通过改变生长过程中成核层退火阶段的反应室压力,在蓝宝石衬底上制得了不同阻值的GaN外延薄膜。......
使用熔融的KOH在高温下对C面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀，借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征，然后利用金属有机物化......
采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）和离子注入的方法制备了掺铕GaN薄膜。利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动，从而确定离子注入引......
紫外波段的AlGaN发光器件对于白光照明、空气和水的净化、消毒杀菌、高密度存储等领域意义重大，因此对AlGaN发光器件的研究成为当下......
采用侧向外延（ELOG）方法，在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN、AFM，化学湿法腐蚀及TEM分析表明：采用两步法ELOG生长......
氢气气氛下MOCVD异质外延是目前工业界广泛使用的外延生长GaN基半导体的方法。研究表明,在GaN薄膜外延生长过程中,成核层的质量对......
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采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法，以NH3作为N元素的掺杂源，在蓝宝石衬底上生长了掺N的ZnO薄膜。利用X射线衍射、X射线光电子能......
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了Ga N∶C薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的Ga N薄膜,研究了源(CCl4)流量......
对用于提高AlGaInP红光发光二极管出光效率的传统DBR进行了分析，用MOCVD生长了包含对垂直入射光反射的DBR和对斜入射光反射的DBR复......
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上进行了BGaN薄膜的外延生长,研究了生长厚度、温度、压力和B/Ⅲ比等条件对B......
在半导体领域的金属有机物化学气相沉积（MOCVD）过程中，排出含有剧毒AsH3和PH3的氢气，必须经过治理达标才能放空。为此，在从瑞典引进的MO......
为改善940nm大功率InGaAs／GaAs半导体激光器输出特性，通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布，并参照模拟制作了非对称结......
为研究锰价态对掺杂氮化镓薄膜的光学性质影响,采用金属有机物化学气相沉积技术在不同的温度下生长锰掺杂的氮化镓外延薄膜材料。......
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利用低压金属有机物化学气相沉积方法在Al2 O3 /Si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的GaN单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的GaN薄膜的 (......
