【摘 要】
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采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法，以NH3作为N元素的掺杂源，在蓝宝石衬底上生长了掺N的ZnO薄膜。利用X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜、霍尔测量及光致荧光光谱
【机 构】
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大连理工大学物理与光电工程学院,吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室
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采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法，以NH3作为N元素的掺杂源，在蓝宝石衬底上生长了掺N的ZnO薄膜。利用X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜、霍尔测量及光致荧光光谱等测试技术分析了薄膜的结晶性质、表面形貌、光电性质及掺杂元素N的价键特性。结果表明，NH3的掺杂会影响ZnO薄膜的结晶特性，薄膜虽然仍是（002）面择优取向生长，但同时也出现了ZnO的（100）及（101）面生长。在薄膜生长时N元素掺入到ZnO薄膜当中，并形成N—Zn、N—H、N—C键。C、H杂质的存在，使掺N ZnO薄膜表现
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