【摘 要】
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双AIN插入层方法被用来在Si (111)图形衬底上进行AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长.Si图形衬底采用SiO2掩膜和漫法腐蚀(无掩膜)两种方
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,香港科技大学电子及计算机工程系光电子中心
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双AIN插入层方法被用来在Si (111)图形衬底上进行AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长.Si图形衬底采用SiO2掩膜和漫法腐蚀(无掩膜)两种方法进行制备.高温生长双AIN插入层用来释放GaN外延层和Si衬底之间由于晶格失配和热失配而产生的张应力.AlGaN/GaN HEMT的生长特性被讨论和分析.在使用优化的双AIN插入层之前,可以在图形[1-100]方向观察到比[11-20]方向更多的由于应力而引起的裂纹.这是由于GaN在(1-100)面比(11-20)更稳定.建议在图形设计中,长边应沿着[11-20]方向进行制备.拉曼测试显示在图形凹角处比凸角处有更大的拉曼频移,证明在图形凹角处有更大的张应力.
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