金属有机化学汽相沉积相关论文
The optical properties of self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate grown by metal-organic chemical vapor......
采用金属有机化学汽相沉积（MOCVD）设备在LiGaO2（100）衬底上制备了结晶性能良好的非极性ZnO薄膜。研究了衬底温度对ZnO薄膜结晶性能的影......
由金属有机化学汽相沉积(MOCVD)异质外延方法,成功获得晶体质量和光学质量优良的硅基ZnO宽带隙半导体薄膜(以下简称ZnO/Si);以GaN/......
采用低压MOCVD技术生长了A lGaN/GaN、A lGaN/A lN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描......
采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结......
德国LayTec公司和费迪南一布劳恩研究所提出了一项新型在线检测技术．通过减少晶片的弯曲来优化蓝光LED和激光二极管的外延生长。Lay......
Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要的半导体材料.本文主要介绍了用几种外延技术制备GaN材料的方法,并介绍了一种与GaN晶格匹......
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,高于室温热能26meV,也远高于其它半导......
采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜.随着化学腐蚀条件......
考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点，本文采用射频磁控溅射......
