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Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要的半导体材料.本文主要介绍了用几种外延技术制备GaN材料的方法,并介绍了一种与GaN晶格匹配的新型衬底材料.
Ⅲ族氮化物材料制备
【摘 要】
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Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要的半导体材料.本文主要介绍了用几种外延技术制备GaN材料的方法,并介绍了一种与GaN晶格匹配的新型衬底材料.
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所
【出 处】
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红外
【发表日期】
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2004年7期
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