金属有机化学气相淀积相关论文
采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术，在InP (100)衬底上生长In0.82Ga0.18As，研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、......
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层.结果表明,铝和镓的并入效率基本相等,这有......
期刊
根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGa1-xAs临界厚度的数值解,得......
采用低压金属有机化学气相淀积（LP-MOCVD）技术,在InP（100）衬底上生长In0.82Ga0.18As,研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、结晶......
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算,......
本文提出了一种新型的MOCVD恒流配气系统，该配气系统可有效地稳定控制温度和压力等关键工艺条件，在多层复杂结构的生长中改善材料质......
采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了......
会议
为了系统研究VCSEL制作中的湿法氧化过程和机理,设计了专门的材料结构并采用MOCVD技术进行外延生长。对经过光刻和干法刻蚀形成的......
AlN是一种性能优异的III-V族氮化物材料,在大功率器件、紫外与深紫外光电子器件等领域应用广泛。金属有机化学气相淀积(MOCVD)是制......
报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长......
利用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术，生长了InGaAs／AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构，通过对不同腔长单管激光器......
非致冷红外探测器及其列阵是近年红外探测器发展的一个新趋势。Ⅲ-Ⅴ族InGaAs半导体材料特别是与InP衬底匹配的In0.53Ga0.47As已经......
学位
使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数，研究了......
期刊
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs980nm量子阱.研究了生长温度,生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条......
共振隧穿二极管(Resonant Tunneling Diode,RTD)作为一种新型高速两端负阻纳米器件,基于量子隧穿机制,具有量子效应,使RTD有着其它......
学位
Ⅲ-Ⅴ族化合物InxGa1-xAs,作为半导体材料,其截止波长随In组分含量的变化而变化,变化范围为0.87~3.5μm。InP是常见的生长InxGa1-x......
本文概述了GaN基发光材料的基本特性和GaN基器件的应用领域及未来的发展前景.简述了GaN基材料的生长技术,着重介绍了金属有机化学......
期刊
