【摘 要】
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为了系统研究VCSEL制作中的湿法氧化过程和机理,设计了专门的材料结构并采用MOCVD技术进行外延生长。对经过光刻和干法刻蚀形成的台面结构样品进行不同时间的湿法氧化,由表面
【机 构】
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西安理工大学电子工程系; 西北大学物理学院; 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心;
【基金项目】
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国家自然科学基金(61306057);陕西省自然科学基础研究计划(2017JM6042)~~
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为了系统研究VCSEL制作中的湿法氧化过程和机理,设计了专门的材料结构并采用MOCVD技术进行外延生长。对经过光刻和干法刻蚀形成的台面结构样品进行不同时间的湿法氧化,由表面形貌及断面结构来确定氧化程度。研究发现,氧化时间较短时,Al0.98Ga0.02As层的横向氧化深度随氧化时间呈线性变化;随着氧化时间增加,横向氧化深度与氧化时间呈抛物线变化,并渐趋于饱和。此外实验中发现Al0.98Ga0.02As层的湿法氧化速度可比Al0.9Ga0.1As层高一个数量级,且Al0.9Ga0.1As层的湿法氧化速度随其层厚增加而增大。最后根据修正的一维Deal-Grove氧化模型计算了受限空间内Al0.98Ga0.02As层横向氧化深度随氧化时间的变化关系。
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